[仕様]
横方向解像度 (XY)
最小 1 μm (スタンドオフ依存)
深度解像度 (z)
最小 0.5 μm (センサーまでの距離が約 10%)
フィールド・オブ・ビュー
最大3mm x 3mm、最大5cm x 5cmまでの自動ステッチ
ノイズフロア
150 nT (DC)
欠陥タイプ
パッケージとダイ：ショート（ワイドレンジ）、リーク、オープン
検出機能
オープンサーキットとショートサーキット
感度
<10 μT/√Hz
標準測定時間
5-10 分
必要条件
電圧/電力
230 ボルト (単相) /16 アンペア
機械的安定性
サスペンション付き光学テーブル、安定化サンプル領域
動作温度
15-40 °C
環境
環境条件（室温と圧力）
QD スコープ
故障解析エンジニア向けに設計されたネイティブQDソフトウェア。
当社独自のソフトウェアインターフェースにより、半導体故障解析および計測チーム向けに設計された直感的で強力なUXにより、高度な量子センシングをすぐに利用できます。
自動キャリブレーションと直感的な制御
シームレスなナビゲーション、柔軟な制御、スマートなセルフキャリブレーションにより、あらゆるレベルのユーザーが直感的に測定できます。
インタラクティブなデータとアノテーション
すべてのデータコンポーネントに同時にアクセスするか、
個別に。データを自由に描画、注釈付け、マーク付けし、さまざまなデータ形式でエクスポートできます。
オーバーレイビジュアライゼーション
ホットスポットデータだけでなく、光学画像や赤外線画像などのさまざまな隣接データに分析データを重ね合わせます。
電流密度再構成
Machine Learning で強化された 3D インタラクティブビジュアライゼーションと断面図を使用して、磁場データを電気活動に変換し、より深く実用的な洞察を得ることができます。
大面積ステッチ
5 cm x 5 cmの移動範囲で、サンプルを交換せずに大きな画像をつなぎ合わせることができます。
製品とサービス
正確な障害検出
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インラボ
欠陥位置特定用シングルチップテスト
研究開発や故障解析のためのシングルチップレベルでの欠陥の高分解能かつ非破壊的な位置特定を行います。
インファブ
欠陥計測のためのフルウェーハテスト
製造現場での欠陥の完全なウェーハレベルでの位置特定と特性評価を直接行えます。
インライン
リアルタイムのプロセス制御のための自動ウェーハマッピング
生産プロセスのリアルタイム監視と最適化のためのハイスループットウェーハマッピング
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